Корпорация Mitsubishi Electric совместно с исследовательским центром глобальных микроэлектромеханических систем (МЭМС) и микротехники Национального института прогрессивной промышленной науки и технологии (AIST) объявила о разработке нового транзистора с высокой подвижностью электронов на базе нитрида галлия (GaN-HEMT).
Прибор имеет многоячеистую структуру (т. е. состоит из множества параллельно расположенных транзисторных ячеек) и соединяется напрямую с обладающей высокой теплопроводностью монокристаллической теплоотводящей алмазной подложкой. Это первый в мире многоячеистый GaN-HEMT, изготовленный с помощью прямого соединения транзистора с монокристаллической алмазной подложкой.
Инновационное устройство с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с алмазной подложкой (GaN-on-Diamond HEMT) повысит КПД суммирования мощности усилителей в базовых станциях мобильной связи и системах спутниковой связи, тем самым способствуя сокращению потребления энергии. Mitsubishi Electric сейчас проводит оптимизацию конструкции транзистора GaN-on-Diamond HEMT до его выхода на рынок, намеченного на 2025 год.
Впервые об этом научном достижении было объявлено на международной конференции по твердотельным приборам и материалам (SSDM), которая проходила в университете Нагоя (Япония) в начале сентября текущего года.
Корпорация Mitsubishi Electric занималась проектированием, изготовлением, оценкой и анализом GaN-on-Diamond HEMT, а уже в AIST разработали технологию прямого соединения.
Частично это достижение основано на результатах, полученных в рамках проекта, заказанного Организацией по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO).
